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RFA6690SQN：38dBm高功率DPDT，单控制电压，车联网首选

1
发表时间：2025-07-18 18:48
KRODOSEN RFA6690SQN - 0.4-3.8GHz双通道DPDT开关

KRODOSEN RFA6690SQN：宽带双通道DPDT射频开关解决方案

采用先进SOI CMOS工艺的RFA6690SQN提供0.45dB超低插损和38dBm高功率处理能力，专为LTE/5G双通道系统设计。单控制电压简化设计，2×2mm微型封装满足空间受限应用。

核心性能参数

  • 超宽带覆盖：0.4-3.8GHz全频段支持
  • 超低插损：0.45dB@2.7GHz
  • 高功率处理：P0.1dB达38dBm
  • 单电压控制：1.8-3.3V工作电压
  • 快速切换：≤5μs开关时间

频段性能对比

频段插入损耗隔离度
0.7-1.0GHz0.40dB31dB
1.0-2.2GHz0.45dB26dB
2.5-2.7GHz0.55dB23dB

关键应用场景

  • 5G双通道MIMO系统
  • LTE语音与数据同步传输
  • 分集天线切换模块
  • 车联网(V2X)通信系统

设计优势

  • 简化控制：单控制电压实现双通道切换
  • 微型封装：2×2mm QFN-12
  • 节省元件：无需直流阻断电容
  • 高线性度：二阶谐波-100dBc
  • 宽温工作：-30℃至+85℃
文章分类： 技术交流
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