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RFA6890SDN：1μA关断电流LNA，无DC阻断电容设计，物联网首选

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发表时间：2025-07-18 16:37
RFA6890SDN - LTE中高频段宽带低噪声放大器

RFA6890SDN：LTE中高频段宽带低噪声放大器解决方案

采用先进RFCMOS工艺的RFA6890SDN专为1.8-2.7GHz LTE中高频段设计，提供15dB增益和0.8dB超低噪声系数。双工作模式（激活/关断）满足5G基站和物联网设备的严苛能效要求。

核心性能参数

  • 宽带覆盖：1.8-2.7GHz全频段支持
  • 高增益输出：15.0dB@2.8V (1.8-2.2GHz)
  • 超低噪声：0.8dB NF@2.8V (1.8-2.2GHz)
  • 能效优化：激活模式6mA，关断模式<1μa<>
  • 微型封装：DFN 6引脚 (1.1×0.7×0.45mm)

电压对比性能表

参数条件2.8V典型值1.8V典型值
增益(1.8-2.2GHz)高增益模式15.0dB14.0dB
噪声系数1.8-2.2GHz0.8dB1.0dB
工作电流高增益模式6mA4mA

关键应用场景

  • LTE Band 1/3/7基站接收链路
  • 5G n1/n3/n78小基站射频前端
  • 卫星通信终端(2.4GHz频段)
  • 工业物联网(IIoT)网关设备

设计优势

  • 简化设计：无需直流阻断电容
  • 快速唤醒：≤1μs关断到激活切换
  • 高线性度：IIP3达2dBm@2.6GHz
  • 热稳定：-35℃至+90℃工作温度范围
文章分类： 技术交流
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